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3.1 一般规定


3.1.1 电子工业洁净厂房生产环境的设计应根据生产工艺的要求控制微粒和对产品质量有害的杂质,同时还应提出温度、湿度、压差、噪声、振动、静电防护、照度等参数要求。
3.1.2 生产环境设计应根据产品品种及生产工艺要求,对电子产品生产过程需用的包括化学品、常用气体和特种气体、纯水等各种介质的质量进行控制。
3.1.3 洁净室(区)内产品生产过程所使用的工具、器具和物料储运装置,其制作的材质和清洁方式应按生产工艺要求选择。
3.1.4 洁净室(区)的空气洁净度等性能测试和认证应符合本规范附录D的要求。

条文说明

3.1.1~3.1.3  随着科学技术的发展,电子产品生产日新月异,以微电子产品为代表的各种电子产品生产技术发展迅速。现代电子产品要求微型化、精密化、高纯度、高质量和高可靠性,以人们熟悉的手机、笔记本电脑为例,它所使用的集成电路、电子元器件以及其组装的生产过程都要求在受控环境条件下进行操作,其中以集成电路生产过程对受控环境的要求尤为严格,当今线宽为45nm的超大规模集成电路产品已投入生产,其受控生产环境——洁净室(区)的受控粒子尺寸要求小于0.02μm甚至更小。表1是超大规模集成电路的发展及相应控制粒子的粒径。集成电路产品的生产和研究表明,超大规模集成电路生产所需受控环境不仅严格控制微粒,而且还需严格控制生产环境的化学污染物和直接与产品生产过程接触的各种介质——高纯水、高纯气体、化学品的纯度和杂质含量,表2是超大规模集成电路对化学污染物的控制指标。表3是大规模集成电路的工艺发展。

表1 超大规模集成电路发展与相应控制粒子的粒径
表2 超大规模集成电路对化学污染物的控制指标
表3 大规模集成电路的工艺发展

    从表1~表3中所列数据可见,动态随机存储器(Dynamic Random Access memory,简称DRAM)产品的线宽从0.25pm发展到0.05 μm,要求洁净室(区)生产环境控制粒子直径从0.125μm严格到0.025μm,空气洁净度等级从5级到6级,严格到1级或更严;生产过程使用的高纯气、高纯水中的杂质含量从10-6,严格到10-11等。集成电路生产实践表明,芯片生产过程使用的工具、器具和物料储运装置也可能成为微粒、化学污染物的携带者或污染源,所以对其制作材质和清洁方式或保护方法,应根据产品生产工艺要求采取相应的技术措施。为此,在本规范中作出第3.1.1~3.1.3条的一般规定。

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电子工业洁净厂房设计规范 GB50472-2008
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