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D.1 建筑物附近雷击的情况下防雷区内磁场强度的计算


D.1.1 无屏蔽时所产生的磁场强度H0,即LPZ0区内的磁场强度,应按公式(D.1.1)计算:

式D.1.1

    式中:i0——雷电流(A);
             Sa——从雷击点到屏蔽空间中心的距离(m)(图D.1.1)。

图D.1.1  邻近雷击时磁场值的估算
图D.1.1  邻近雷击时磁场值的估算

D.1.2 当建筑物邻近雷击时,格栅型空间屏蔽内部任意点的磁场强度应按下列公式进行计算:

格栅型空间屏蔽内部任意点的磁场强度

    式中:H0——无屏蔽时的磁场强度(A/m);
              Hn、Hn+1——分别为LPZn和LPZn+1区内的磁场强度(A/m);
              SF——按表D.1.3的公式计算的屏蔽系数(dB)。
    这些磁场值仅在格栅型屏蔽内部与屏蔽体有一安全距离为 ds/1的安全空间内有效,安全距离可按下列公式计算:

式D.1.2-3

    式中:SF——按表D.1.3的公式计算的屏蔽系数(dB);
                 w——空间屏蔽网格宽度(m)。
D.1.3 格栅形大空间屏蔽的屏蔽系数SF,按表D.1.3的公式计算。

表D.1.3  格栅型空间屏蔽对平面波磁场的衰减
表D.1.3  格栅型空间屏蔽对平面波磁场的衰减

    注:1 适用于首次雷击的磁场;
           2 适用于后续雷击的磁场;
           3 磁导率μr≈200;
           4 公式计算结果为负数时,SF=0;
           5 如果建筑物安装有网状等电位连接网络时,SF增加6dB;
           6 w是格栅型空间屏蔽网格宽度(m);r是格栅型屏蔽杆的半径(m)。

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建筑物电子信息系统防雷技术规范 GB50343-2012
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