5.1 半导体材料

5.1.1 半导体材料 samiconductor materials
    电阻率介于导体与绝缘体之间，范围在1×10^-5Ω·cm～1×10⁷Ω·cm的一种固体物质。
5.1.2 晶体材料 crystal materials
    在三维空间中，由沿一定晶向、以一定周期性结构排列的原子、离子或分子组成的固体物质。
5.1.3 单晶材料 single crystal materials
    不含大角晶界或亦孪晶界的晶体材料。
5.1.4 多晶半导体材料 polycrystal semiconductor materials
    由大量结晶方向不相同的单晶体组成的半导体材料。
5.1.5 多晶硅 polysilicon
    熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成晶核，晶核长成晶面取向不同的晶粒，晶粒再结晶形成的物质，是单质硅的一种形态。
5.1.6 非晶态材料 amorphous materials
    具有可与晶态物质相比较的高硬度和高黏滞系数的刚性固体。又称无定形或玻璃态材料。
5.1.7 非晶硅 amorphous silicon
    熔融硅在过冷条件下凝固时，硅原子以无规则网络形态排列成晶核，这些晶核长成晶粒，晶粒再结晶成的物质。
5.1.8 硅基材料 silicon-based materials
    以硅材料为衬底或基底，通过不同工艺过程生长制成的材料。
5.1.9 绝缘层硅 silicon-on-insulator(SOI)
    在单晶硅片上形成绝缘薄层的硅单晶衬底材料。