中国建筑科学研究院建筑防火研究所--消防规范网

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7.7 工艺技术与工艺设计


Ⅰ整机生产工艺

7.7.1 元器件老化筛选 selection of components by aging method
    给电子元器件施加热的、电的、机械的或多种结合的外部应力,模拟恶劣的工作环境,使其内部的潜在缺陷加速暴露出来,然后进行电气参数测量,筛选剔除那些失效或变性元器件的过程。
7.7.2 装联准备 electronics assembling preparation
    装配前先将用于组装电子产品的各种元器件、零件和各种导线进行预先加工处理的工作。也称生产准备。
7.7.3 印制电路板装联 PCB assembling
    在制作有金属电路图形的印制电路板上装配和装焊电子元器件的工艺。
7.7.4 裸芯片组装 bare chip assembly
    从已完工的晶圆上切下芯片后,不按传统的集成电路封装成体方式,而将芯片直接组装在电路板上的工艺。
7.7.5 表面组装技术 surface mounted technology(SMT)
    无需对印制板钻插装孔,直接将表面组装元器件或部件贴焊在印制板表面规定位置上的电路装联技术,又称表面安装技术。
7.7.6 免清洗技术 no-clean for PCB assemblies
    印制板在装焊过程中采用免清洗助焊剂、免清洗焊膏和免清洗焊接设备,装配后的印制板组件不需进行清洗即能达到或超过原来采用清洗工艺的清洁度水平的焊接技术。
7.7.7 印制板组件检测 test for PCB
    为将印制板组件的贴(插)装、焊接故障降到最小限度,使组件达到特定标准要求的质量和可靠性等级所进行的检测。
7.7.8 整机装配 complete machine assembling
    对整机进行机械装配、电气连接和装配后质量检验的过程。
7.7.9 整机老化试验 cormlete machine aging test
    针对整机产品仿真出高温等恶劣环境,对其进行稳定性、可靠性老化试验的过程。
7.7.10 整机调试 complete machine debugging
    按相应的技术标准或指标要求,将整机产品各项指标调试到允许范围内的过程。
7.7.11 整机生产环境 complete machine manufacture environment
    整机生产活动所必需具备的空间和物质条件。
7.7.12 环境试验 environment test
    将产品暴露在自然或人工环境条件下经受其作用,评价产品在实际使用、运输和贮存环境条件下的性能,并分析研究环境因素的影响程度及其作用机理的试验。
7.7.13 力学环境试验 dynamics environment test
    在力学环境因素作用下,考核、评价产品的功能可靠性、结构完好性的试验。
7.7.14 气候环境试验 climate environmental test
    考核、评价产品在气候环境因素作用下的性能、可靠性和安全性的试验。
7.7.15 三防处理 anticorrosive technique
    对潮湿、霉菌、盐雾等环境采取的防护措施。

Ⅱ电子元器件生产工艺

7.7.16 外延 epitaxy
    采取化学反应晶体生长技术,用以在决定晶向的基质衬底表面上生长一薄层与晶体有相同晶格结构的半导体材料的过程。
7.7.17 硅气相外延 silicon vapor-phase epitaxy(VPE)
    利用四氯化硅(SiCl4)、三氯氢硅(SiHCl3)、二氯二氢硅(SiH2Cl2)或硅烷(SiH4)等硅的气态化合物,在加热的硅衬底表面与氢反应或自身发生热分解还原成硅,并以单晶的形式沉积在硅衬底表面的过程。
7.7.18 分子束外延 molecular-beam epitaxy(MBE)
    通过聚焦的电子束源产生的电磁场,使硅原子蒸发得到外延反应所需的硅反应原子;硅原子束离开硅源,通过排泄腔体,不碰撞并直接沉积在硅衬底表面形成外延层的过程。
7.7.19 氧化 oxidation
    在硅表面上生长一层二氧化硅薄膜的技术。
7.7.20 光刻 photolithography,lithography,masking
    图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
7.7.21 刻蚀 etching
    把进行光刻前所沉积的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的部分,以化学或物理作用的方式去除,以完成转移掩膜图形到薄膜上面的过程。
7.7.22 扩散 diffusion
    杂质原子或分子在高温下由高浓度区向低浓度区的移动过程。
7.7.23 掺杂 doping
    用人为的方法将所需杂质按要求的浓度和分布掺入到半导体材料中,以改变材料的电学性质的过程。
7.7.24 化学气相沉积 chemical vapor deposition(CVD)
    一种或数种物质的气体以某种方式被激活后,在衬底表面发生化学反应并淀积出所需固体薄膜的生长技术。
7.7.25 溅射 sputtering
    高能粒子撞击高纯度的靶材料,被撞击出的原子穿过真空,最后淀积到硅片或其他基片上的过程。
7.7.26 离子注入 ion implant
    将待掺杂的物质电离,加速成能量级为100keV的高能量离子束入射到材料中,离子束与材料中的原子或分子发生一系列的物理、化学作用;入射离子逐渐损失能量,最后停留在材料中并引起材料表面成分、结构和性能发生变化,从而优化材料表面性能或获得某些新的优异性能的过程。
7.7.27 退火 anneal
    将晶圆加热到一定温度,然后冷却以达到特定结果的过程。
7.7.28 金属化 metallization
    应用化学或物理方法在芯片上淀积导电薄膜的过程。
7.7.29 钝化 passivation
    为避免周围环境气氛和其他外界因素对器件性能产生影响而在器件表面形成保护膜的过程。
7.7.30 化学机械抛光 chemical-mechanical polish(CMP)
    化学腐蚀和机械磨削同时进行的抛光技术。
7.7.31 化学机械平坦化 chemical-mechanical planarization
    用化学腐蚀与机械研磨相结合的方式除去硅片顶部多余的厚度,使硅片表面平坦化的技术。
7.7.32 键合 bonding
    用细金属丝将半导体器件芯片上的电极和底座外引线相连接的过程。
7.7.33 封装 packaging
    为使芯片与外界环境隔绝、不受污染,且便于使用、焊接,将芯片固定在外壳上并将芯片密封的过程。
7.7.34 阵列工艺 array process
    在玻璃基板上通过成膜、光刻、刻蚀等半导体工艺技术,制作有规则排列的特定薄膜晶体管(开关器件)阵列,以形成数据线、存储电容和信号线的工艺。
7.7.35 清洗 cleaning process
    清除吸附在玻璃基板表面上的各种有害杂质或油污的过程。
7.7.36 干法清洗 dry cleaning
    通过紫外线光清除基板表面有机污染物的清除方法。
7.7.37 等离子增强化学气相沉积 plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)
    通过等离子体的活性促进化学反应,使气体反应物质生成固态物质并沉积在玻璃基板表面的薄膜沉积工艺技术。
7.7.38 湿法刻蚀 wet etching process
    采用液态化学药品对被蚀刻物质进行刻蚀的方法。
7.7.39 干法刻蚀 dry etching process
    在气相中对基板表面、被蚀刻物质进行刻蚀的方法。
7.7.40 聚酰亚胺取向剂涂覆 polyimide direction coater process
    在薄膜晶体管液晶显示器阵列玻璃基板和彩色滤光片玻璃基板上,通过旋转涂敷和印刷方式形成液晶取向层,以备下一道工序对其进行摩擦取向,达到对液晶分子进行取向目的的过程。又称PI涂覆。
7.7.41 摩擦 rubbing process
    为在聚酰亚胺取向剂膜(PI膜)上形成具有一定方向的沟槽,对涂覆在两片玻璃基板上的取向剂,用摩擦辊上的绒毛对该膜进行的表面摩擦。
7.7.42 摩擦后清洗 after rubbing cleaner
    对摩擦定向后产生的绒毛、取向剂膜屑等尘埃进行的清除。
7.7.43 封框胶涂复 seal material coating process
    制屏贴合前用丝网印刷技术或可滴涂方式,将封框胶图形制作在一片玻璃基板上,把公共电极导电胶制作在另一片玻璃基板上,然后将两片玻璃贴合封接制成液晶盒的工艺过程。
7.7.44 贴合 panel alignment process
    将上下两片玻璃基板对位压合成液晶盒的工艺过程。
7.7.45 成盒 cell process
    将已制备好的薄膜晶体管液晶显示器阵列玻璃基板和彩色滤光片玻璃基板组装到一起,使两块玻璃基板之间充有液晶材料,加上适应的电场即可进行图像显示的液晶盒(屏)的工艺过程。
7.7.46 切割 cutting process
    将集成在一大片玻璃基板上的多个液晶显示器件半成品面板,切割成独立的多个液晶显示面板的工艺过程。
7.7.47 液晶模组 liquid crystal module(LCM)process
    将金属外框、液晶面板(屏)、挠性印制电路板、驱动集成电路芯片、印制电路板、背光源组件组装成为一个完整的显示器单元的工艺过程。
7.7.48 贴片前清洗 panel cleaning process
    偏光片贴附前,对液晶面板(屏)表面进行擦拭的过程。
7.7.49 偏光片贴覆 polaroid attach
    在薄膜晶体管液晶显示器液晶盒前后玻璃基板表面分别粘贴偏光片的工艺过程。
7.7.50 各向异性导电胶带贴覆 anisotropic conductive film(ACF) attach process
    利用各向异性导电胶带在高温高压作用下的固化特性,把上下电极可靠连接的过程。又称ACF贴覆。
7.7.51 芯片载带封装贴装 tape carrier packaging(TCP) assembly
    将液晶屏与芯片载带封装,并将芯片载带封装与印制电路板进行连接。又称TCP贴装。
7.7.52 带状元件自动邦定 tape automated bonding(TAB)
    通过各向异性导电胶带粘接,带有集成电路芯片的芯片载带封装在一定温度、压力和时间下,热压面实现屏和驱动线路板连接的加工方式。
7.7.53 显示屏上贴装芯片 chip on glass(COG)
    将驱动集成电路芯片直接贴装到显示屏玻璃边缘的引线上的安装方式。
7.7.54 印制电路板上贴装芯片 chip on board(COB)
    芯片被邦定在印制电路板上,再与液晶显示面板外引线连接的安装方式。
7.7.55 液晶预滴入 one drop filling process(ODF)
    在彩膜基板的封框胶内,用多个针筒定量大密度地滴下液晶,利用液晶的表面张力流延使显示区内充满液晶,再在真空条件下将阵列基板翻转对位、贴盒、加压、热合使其成为液晶盒的过程。
7.7.56 老化 aging process
    在指定的条件下,元器件的性能随时间变化后达到基本稳定的过程。
7.7.57 丝网印制 screen printing
    利用丝网镂空版和印料,经刮印得到图形的方法。简称丝印法。

Ⅲ电子材料生产工艺

7.7.58 切片 cutting
    通过镶铸金刚砂磨料的刀片或钢丝的高速旋转、接触、磨削作用,将硅锭定向切割成为符合规格要求的硅片的过程。
7.7.59 冶金提纯法 metallurgical purifying method
    将金属硅直接进行冶炼,通过高温熔炼和定向凝固去除杂质,得到6N以上金属硅的方法。又称物理法。
7.7.60 改良西门子法 improved siemens method
    氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅,再对三氯氢硅进行分离精馏提纯,提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行化学气相沉积反应生产高纯多晶硅的方法。
7.7.61 硅烷法 silane method
    通过四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、直接氢化法等制取硅烷(SiH4),再将制得的硅烷气提纯后,在热分解炉中生产纯度较高的棒状多晶硅的方法。
7.7.62 流化床法 fluidized bed method
    以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料,在流化床(沸腾床)内高温高压下生成三氯氢硅,将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅,生成硅烷气;制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内,进行连续热分解反应生成粒状多晶硅的方法。
7.7.63 熔融析出法 vapor to liquid deposition(VLD)
    使用三氯氢硅为原料,在筒状反应炉进行气相反应,直接析出液体状硅的方法。

Ⅳ玻璃陶瓷制造工艺

7.7.64 配料 batching
    根据已制定的玻璃配方对石英砂、长石等原材料进行称量、混合、搅拌的工艺过程。
7.7.65 气力输送 pneumatic conveying
    借助气体或气体在管道内的流动,输送干燥的散状固体粒子或颗粒物料的输送方法。
7.7.66 熔化 melting
    通过燃料燃烧对配合料加热使其熔融成玻璃液的过程。
7.7.67 全氧燃烧 full oxygen combustion
    理论上采用纯氧气助燃的燃烧。
7.7.68 富氧燃烧 oxygen-enriched combustion
    采用含氧量大于20.93%的富氧空气助燃的燃烧。
7.7.69 电助熔 electric boosting
    在火焰窑的熔化池底插入若干电极并向电极供电,交流电通过电极在熔融玻璃液内产生焦耳热,以改善玻璃的熔制、澄清与对流的电辅助加热方法。
7.7.70 成型 forming
    采用机械和其他方法,通过成型设备将玻璃由玻璃态物质制成具有一定形状、体积坯件的过程。
7.7.71 冷加工 cold working
    玻璃成型后期的研磨、抛光等机械加工过程。
7.7.72 研磨 grinding
    用研磨工具和研磨剂,从工件上研去一层极薄表面层的精加工过程。
7.7.73 抛光 polishing
    用抛光材料对玻璃制品表面进行整平处理,降低粗糙度,使凹凸的表面变得平滑、精美,增加表层的光泽和外观质量的过程。
7.7.74 熔融溢流法 fusion overflow process
    在熔窑末端设有特制供料道,使熔融玻璃液从供料道进入U形溢流槽,当溢流槽充满时玻璃液便从溢流槽两侧自然外溢下流,在U形溢流槽的底部汇合成一体形成玻璃带,在重力作用下继续下落,再经机械下拉辊拉引成超薄玻璃的方法。
7.7.75 浮法 floats law
    熔融的玻璃液从熔窑内连续流出后,漂浮在充有保护气体的金属锡液面上,形成厚度均匀、两表面平行、平整和抛光的玻璃带,再进行退火的方法。

Ⅴ光纤光缆制造工艺

7.7.76 管外气相沉积 outside vapour deposition(OVD)
    通过氢氧焰或甲烷焰中携带的四氯化硅等气态卤化物产生“粉末”,一层一层沉积获得芯玻璃的工艺。
7.7.77 轴向气相沉积 vapour axial deposition(VAD)
    化学反应机理与管外气相沉积工艺相同,但由下向上垂直轴向生长预制棒的沉积工艺。
7.7.78 改进的化学气相沉积 modified chemical vapour deposition(MCVD)
    以氢氧焰热源发生在高纯度石英玻璃管内进行的气相沉积工艺。
7.7.79 等离子化学气相沉积 plasma activated chemical vapour deposition(PCVD)
    微波激活气体产生等离子使反应气体电离,电离的反应气体呈带电离子;带电离子重新结合时释放出的热能熔化气态反应物形成透明的石英玻璃沉积薄层的工艺。
7.7.80 熔缩 collapsing
    沿管子方向往返移动的石墨电阻炉将不断旋转的管子加热到2200℃,在表面张力的作用下,分段将沉积好的石英管熔缩成预制棒的过程。
7.7.81 外包层制造 overcladding
    套管法、等离子喷涂法(plasma spray)、火焰水解法(flame hydrolyzing process)和溶胶-凝胶法(sol-gel)等大光纤预制棒制造技术的统称。
7.7.82 套管法 rod in tube(RID)
    将气相沉积工艺制成的芯棒置入一根作光纤外包层的高纯石英玻璃管内制造大预制棒的技术。
7.7.83 等离子喷涂法 plasma spray
    用高频等离子焰将石英粉末熔制于气相沉积工艺得到的芯棒上制成大预制棒的技术。
7.7.84 溶胶-凝胶法 sol-gel
    采用溶胶-凝胶工艺制成合成石英管作为套管,再用套管法制成大预制棒的方法;或采用溶胶-凝胶工艺制成合成石英粉末,再用高频等离子焰将合成石英粉末熔制于芯棒上制成大预制棒的方法。
7.7.85 火焰水解法 flame hydrolyzing process
    将管外气相沉积、轴向气相沉积等火焰水解外沉积工艺在芯棒上进行应用的方法。
7.7.86 拉丝 drawing
    将采用气相沉积法和外包层技术结合制成的大光纤预制棒直径缩小,且保持芯包比和折射率分布恒定的操作过程。
7.7.87 成缆 core stranding
    将若干绝缘线芯或光单元组合按一定规则绞合的工艺过程。
7.7.88 光纤着色 coloring optical fiber
    为在光纤接续、成端、使用时能识别其纤序,光纤成缆前在一次涂覆光纤上着色的过程。
7.7.89 光纤并带 fiber ribbon
    光纤以全色谱或领示色谱排列,用丙烯酸树脂固化集封成薄带的工艺。
7.7.90 光纤二次被覆 secondary coating
    选用高分子材料聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT),在合理的工艺条件下,采用挤塑方法给光纤套上与光纤长度相等的松套管,同时在松套管中注入触变型纤膏的过程。
7.7.91 松套光纤“SZ”绞合成缆 stranded loose tube cabling
    将套管和填充绳以“SZ”形式绞合在中心加强件上,再经扎纱、涂覆油膏、包带后成为缆芯的方法。
7.7.92 中心束管钢丝绞合成缆 steel wire central tube stranded cabling
    将松套束管置于光缆中心,管外绞合一层磷化钢丝,钢丝间填充阻水缆膏并绕包阻水带,合纵包双面涂塑钢带,最后抽真空再挤套中密度聚乙烯护套的成缆方法。

Ⅵ电子相关工艺设计

7.7.93 工艺设计 process design
    对产品生产的方式、方法进行设计和规划的过程。
7.7.94 工艺条件 process requirements
    因生产工艺及其设备需要,对土建、机电等有关专业提出的设计要求。
7.7.95 工厂布置 facility layout
    在整个工厂层面上对生产场所、生产活动、人员及设备作出的空间安排。
7.7.96 港湾式布置法 bay-chase type layout
    把工艺联系紧密的一组设备相向布置在一条通道两侧,形成一个生产单元(bay),然后将多个生产单元分别排布在一条中央通道的两侧,使每个单元内的通道沿中央通道的垂向布置,从而形成完整的生产线的工艺布置方法。
7.7.97 小岛布置法 island layout
    按生产单元划分功能区,功能区在生产厂房中形似一个个岛屿的布置方法。又称单元布置法。
7.7.98 物料闸间 lock for material
    设置在不同空气净化要求的区域之间,用于物料进出时隔断两区域之间的空气流动并可用于物料表面清洁的区域。
7.7.99 成组技术 group technology
    通过鉴别零件(加工工件)相似性,根据预定的规则将具有一定相似程度的零件形成零件组,从而使多品种、小批量的零件生产获得批量生产优势的技术。
7.7.100 单元化制造 cellular manufacturing
    根据功能和设备内在关系划分的生产和加工单元组成的生产系统。
7.7.101 及时制生产 just-in-time(JIT)
    在需要时,按需要的量生产所需产品的生产方式。
7.7.102 计算机集成制造系统 computer integrated manufacturing system(CIMS)
    所有的活动都集成为基于计算机的计划、管理和控制的一种制造技术系统。
7.7.103 柔性制造系统 flexible manufacturing system(FMS)
    由数控的制造装置与传送机构组成的系统,可适应制造任务中的各种变化。

条文说明

Ⅰ整机生产工艺

7.7.5 表面组装技术
    该技术是现阶段实现电子产品微电子化和小型化生产的重要手段,已成为板级电路组装技术的主流。PCB表面组装(SMT)的主要设备有丝网印刷机、点胶机、高速贴片机、多功能贴片机、回流焊接机(再流焊接机)、自动光学检测设备(AOI)、上板机、下板机、翻板机、连接轨道等。
7.7.6 免清洗技术
    采用低固态成分的免洗焊剂和有惰性气体保护的免洗焊接设备完成免清洗焊接,实现印制板焊后的免清洗。
7.7.8 整机装配
    整机的结构从外形上可分为柜式、箱式、台式和盒式(袖珍)四类。
7.7.9 整机老化试验
    是提高电子产品稳定性和可靠性的重要试验。在老化过程中和老化结束时均需即时测量产品的电性能参数,剔除有故障的机器。老化中出现故障的机器经修复后需重复前面的老化试验过程。
7.7.11 整机生产环境
    不同的整机产品、不同的生产工艺,需要有不同的生产环境条件。影响环境的主要因素有杂质、有害气体、温湿度、电磁干扰、静电、振动、噪声等。
7.7.12 环境试验
    包括力学环境试验和气候环境试验。环境对暴露于环境中的电子产品的主要影响有腐蚀、开裂、脆化、吸潮、氧化等。这些影响可能导致产品的物理性能或化学性能的改变,从而影响产品质量。
7.7.13 力学环境试验
    力学环境因素(或称机械因素)包括振动、冲击、碰撞、跌落、摇摆、恒加速度、爆炸、地震、噪声振动等。力学环境试验的主要设备有电动振动台、机械振动台、液压振动台、冲击试验台、碰撞试验台、冲击碰撞试验台、跌落试验台、模拟汽车运输台、摇摆试验台、转盘式离心机、转臂式离心机等。
7.7.14 气候环境试验
    温度、湿度、压力、日光辐射、沙尘、雪等均属于气候环境因素。气候环境试验的主要设备有高温恒温试验箱、高低温试验箱、高低温湿热试验箱、高低温冲击试验箱、步入式高低温试验室、步入式高低温湿热试验室、步入式温度冲击试验室、温度/湿度/振动综合环境试验设备、盐雾试验箱、霉菌试验箱等。

Ⅱ电子元器件生产工艺

7.7.16 外延
    根据衬底的选择可以分为同质外延和异质外延。根据制备方法可以分为气相外延(VPE)、液相外延(LPE)、金属有机化合物化学气相外延(MOCVD)和分子束外延(MBE)四类。
7.7.19 氧化
    是在硅表面生长一层二氧化硅薄膜的技术,是硅平面工艺中很重要的工艺。氧化方法很多,如高温氧化、化学气相沉积、阳极氧化等。
7.7.20 光刻
    分为正性光刻和负性光刻两种基本类型。本质是把临时的电路结构复制到硅片或其他基片上。要复制的电路结构首先以图形形式制作在掩膜版上,紫外光透过掩膜版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上,显影后图形出现在硅片上,然后用刻蚀工艺把薄膜图形成像在硅片上。
7.7.21 刻蚀
    分为干法刻蚀和湿法刻蚀。
7.7.22 扩散
    半导体制造过程中常用的步骤,用以控制杂质的浓度、均匀性和重复性。
7.7.23 掺杂
    有扩散和离子注入两种工艺方法。由于掺入的杂质不同,杂质半导体可以分为N型和P型两大类。
7.7.25 溅射
    物理气相淀积方法之一。
7.7.26 离子注入
    一种材料表面改性高新技术。
7.7.27 退火
    玻璃退火是一个创建匀热和结构调整所需的均匀温度场,减小各部分之间的结构差,使冷致刚体被固定的、不可逆转的结构差所致的永久应力减至制品的规定值;在此后的冷却中,控制可逆转的结构差所致的、随温度均一而消失的暂时应力,防止玻璃炸裂的热处理过程。
7.7.28 金属化
    可以通过蒸发、溅射、金属化学气相沉积、电镀等工艺完成。
7.7.30 化学机械抛光
    分为铜离子抛光、铬离子抛光和普遍采用的二氧化硅胶体抛光。由IBM公司于1980年代中期开发。根据不同要求,可分一次抛光、二次抛光(粗抛光和精抛光)或三次抛光(粗抛光、中间抛光和精抛光)。为满足超大规模集成电路对表面质量和平整度的要求,已出现无蜡抛光和无磨料抛光等新工艺。
7.7.31 化学机械平坦化
    一种表面全局平坦化技术。
7.7.33 封装
    目前形式有陶瓷封装、塑料封装、金属封装等。
7.7.35 清洗
    常采用化学清洗和物理清洗。化学清洗是利用化学试剂与吸附在玻璃基板表面上的杂质及油污发生化学反应及溶解作用,去除有害杂质或油污。物理清洗一般有擦洗、高压喷淋、超声波清洗等。
7.7.37 等离子增强化学气相沉积
    是半导体制造工艺中常用的薄膜制备方法之一。利用等离子增强化学气相沉积工艺可制备多种薄膜,如多晶硅、非晶硅、二氧化硅、氮化硅薄膜等。
7.7.38 湿法刻蚀
    采用液态化学药品对被蚀刻物质进行刻蚀的方法。具有各向同性刻蚀性能,工艺设备价格低廉,成本低。但要消耗大量化学品,不利于环境保护。
7.7.39 干法刻蚀
    在气相中对基板表面、被蚀刻物质进行刻蚀的方法。其中应用等离子体刻蚀的较多。干法刻蚀具有各向异性刻蚀性能,刻蚀精度高,设备较昂贵。
7.7.40 聚酰亚胺取向剂涂覆
    该过程包括涂覆前清洗、PI涂覆及预固化及固化等,PI涂敷完成后还需进行检查。
7.7.41 摩擦
    摩擦方向按产品的用途或视角方向来决定。一般上下基板摩擦方向不一致,两者之间的角度接近90°。
7.7.42 摩擦后清洗
    多采用超声清洗结合纯水喷淋相结合的方法,以免影响摩擦定向得到的沟槽。
7.7.44 贴合
    该工艺的操作过程如下:机器压合通过对位标记自动移动平台,使上下玻璃基板的标记中心重合,然后施加一定大小的气压,使两片玻璃形成中间有一定空隙的液晶盒。
7.7.46 切割
    该工艺主要包括划屏、裂片和倒角。
7.7.48 贴片前清洗
    进行贴片前清洗时,先用橡胶刮板进行刮擦表面,然后用酒精或乙醇擦拭干净。
7.7.50 各向异性导电胶带贴覆
    各向异性导电胶带兼有粘接、导通、绝缘功能,是一种上下导通、左右不通的连接材料。
7.7.51 芯片载带封装贴装
    液晶屏与芯片带载封装(TCP)的连接采用各向异性导电胶带(ACF),芯片带载封装与印制电路板的连接一般可采用锡焊。
7.7.56 老化
    在平板显示器件制造工艺过程中,为防止有缺陷的半成品流入下一道工序,根据一定的规范设立质量控制点,对半成品进行通电或加温进行“老化”以考验其可靠性。

Ⅳ玻璃陶瓷制造工艺

7.7.65 气力输送
    分为密相输送和稀相输送两种形式。
7.7.66 熔化
    把按料方混合好的配合料投入到窖炉中,根据已经确定好的温度曲线对配合料进行加热,使配合料熔化成均匀、纯净、透明、具有一定黏度的玻璃液的过程。
7.7.67 全氧燃烧
    实际生产中把采用纯度大于或等于85%的氧气助燃的燃烧系统也称为全氧燃烧。
7.7.68 富氧燃烧
    普通空气中含20.93%的氧、78.1%的氮及少量惰性气体等。一般来讲,含氧量大于20.93%的空气叫做富氧空气。
7.7.70 成型
    由玻璃熔体制成各种形状制品或半制品的过程。根据要求不同,可用采不同的成型方法,主要有浮法、垂直引上法、压制法、拉制法、吹制法、压吹法、延压法、离心法、绕制法、模铸法等。
7.7.74 熔融溢流法
    一般可拉制出0.5mm~1mm厚的超薄玻璃,不足之处是产量低,板宽窄,因受溢流槽的尺寸所限,板宽通常不足浮法玻璃板宽的一半。但该工艺方法的最大优点是适用于多种玻璃组分。
    熔融溢流技术可以产出具有双原始玻璃表面的超薄玻璃基材,并有良好的表面质量。相较于浮法(仅能产出单原始玻璃表面)及流孔下拉法(无法产出原始玻璃表面),可免除研磨或抛光等后加工制程。

Ⅴ光纤光缆制造工艺

7.7.76 管外气相沉积
    1970年由美国康宁公司Kapron研发的简捷工艺,反应机理为火焰水解。
7.7.77 轴向气相沉积
    1977年由日本电报电话公司的伊泽立男等人,为避免与康宁公司的管外气相沉积专利纠纷所发明的连续工艺,属于火焰水解反应机理。
7.7.78 改进的化学气相沉积
    1974年由美国AT&T公司贝尔实验室的Machesney等人开发的经典工艺。
7.7.79 等离子化学气相沉积
    1975年由荷兰飞利浦公司的Koenings提出的微波工艺。
7.7.80 熔缩
    沉积工序的下一步,把沉积管熔缩成实心棒。
7.7.81 外包层制造
    等离子喷涂法是由美国阿尔卡特公司发明的。SOOT法泛指管外气相沉积和轴向气相沉积等火焰水解外沉积工艺。溶胶-凝胶法是由美国朗讯科技公司发明的。
7.7.86 拉丝
    在拉丝过程中,光纤套棒被安装在拉丝塔的顶部,下端缓缓置入约2100℃高温的炉火中,此端熔化后被拉成所需包层直径的光纤(通常为125μm),并进行在线双层涂覆和紫外固化。7.7.87 成缆
    包括绞合时线芯间空隙的填充和在成缆上的包带过程。
7.7.88 光纤着色
    着色层的厚度约为3μm。一次涂覆光纤的固化着色工艺有热固化和光固化两种。
7.7.89 光纤并带。
    由白(W)、红(R)、黑(B)、黄(Y)、紫(V)作为领示色,代表a线;由蓝(B1)、桔(O)、绿(G)、棕(Br)、灰(S)作为循环色,代表b线,十种颜色组成25对全色谱线对。
7.7.91 松套光纤“SZ”绞合成缆
    SZ成缆可进一步地加强光纤的拉力强度、抗侧压能力,并具有阻隔潮气的功能,在此过程中需通过调整绞合节距来控制光纤的余长。

Ⅵ电子相关工艺设计

7.7.93 工艺设计
    电子工程工艺设计的内容包括:主要工艺和搬运设备配置、工艺设备平面布置和竖向布置、生产组织设计、生产设施空间需求确定、动力供应需求确定等。
7.7.96 港湾式布置法
    采用港湾式布置法时,在中央通道同侧相邻生产单元之间的设备背部区域,可以布置工艺设备的附属等,并以隔板与工艺设备前区相分割,从而形成所谓的“灰区”(chase)。港湾式布置法是在集成电路前工序工厂中常用的一种布置方式。
7.7.97 小岛布置法
    一种典型的设备布置形式,一个生产单元可以独立完成一定加工功能。
7.7.99 成组技术
    原理可应用于产品设计、工艺规划、设备布置、生产计划等多个方面。
7.7.100 单元化制造
    离散型加工制造中常用的生产组织方式。
7.7.101 及时制生产
    JIT是最早由日本丰田公司提出的一种生产组织方式,即通过“拉动式”的生产计划和控制及库存的管理,追求一种无库存,或库存达到最小的生产系统,以实现消除库存,优化生产物流,减少浪费的目的。
7.7.103 柔性制造系统
    无人化自动工厂的主要组成部分。柔性生产即通过系统结构、人员组织、运作方式和市场营销等方面的改革,使生产系统能对市场需求变化做出快速的适应,同时消除冗余无用的损耗,力求企业获得更大效益的生产方法。

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电子工程建设术语标准 GB/T50780-2013
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